Epitaxia a capas atómicas de semiconductores II-VI por sublimación isotérmica a distancia cercana.
In this work, the results on the self regulated growth of II-VI semiconductors using the Closed Space Sublimation technique are reported. The main features of the method are: i) the sublimation occurs by exposing the substrate to elemental sources alternately; ii) the whole system is at the same tem...
| Publicado en: | Revista Cubana de Física Vol. 23; no. 1; pp. 3 - 12 |
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| Autores principales: | , |
| Formato: | Artículo |
| Publicado: |
Universidad de La Habana
2006
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| Acceso en línea: | Ver este registro en EBSCOhost |
| Sumario: | In this work, the results on the self regulated growth of II-VI semiconductors using the Closed Space Sublimation technique are reported. The main features of the method are: i) the sublimation occurs by exposing the substrate to elemental sources alternately; ii) the whole system is at the same temperature. This last condition warrants the self regulation mechanism. In fact, in isothermal conditions, the driving force for the growth can only be due to the difference in composition between the source and the growth surface. Once that difference is eliminated, the growth stops. With this method, films of ZnTe, CdTe compounds and ZnCdTe alloys have been obtained. The influence of different parameters in the regulation mechanism is discussed, as well as the use of different transport gases. Epitaxial films were obtained as can be concluded from x-Rays and electron diffraction patterns as well as from high resolution electron microscopy images. The growth rate in terms of monolayers per cycle varies depending of the exposure times and other growth parameters. This dependence is discussed in this work. En este trabajo se reportan los resultados obtenidos en el crecimiento auto-regulado de semiconductores del tipo II-VI usando la sublimación a corta distancia. Lo que distingue el uso de este método es en primer lugar el hecho de que la sublimación ocurre a partir de fuentes elementales a las cuales se expone el substrato alternativamente y en segundo que todo el sistema se encuentra a la misma temperatura. Es esta última condición la que garantiza el mecanismo de autorregulación. En efecto, en condiciones isotérmicas, la fuerza motriz del crecimiento puede ser únicamente la diferencia de composición entre fuente y superficie de crecimiento. Una vez eliminada esta diferencia, el crecimiento se detiene. Con este método se han obtenido capas de los compuestos ZnTe y, CdTe y de las aleaciones ZnCdTe. Se discuten en el trabajo la influencia de los diferentes parámetros en los mecanismos de regulación. Así mismo se analiza la influencia del uso de diferentes gases de transporte. Las capas obtenidas son epitaxiales como se concluye del análisis de los patrones de difracción de electrones y de Rayos X y también de las imágenes de Microscopía Electrónica de Alta Resolución. La razón de crecimiento en término de monocapas por ciclo varía en dependencia de los tiempos de exposición a las fuentes elementales y de otros parámetros de crecimiento. Esta dependencia es discutida ampliamente en el trabajo. |
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