Epitaxia a capas atómicas de semiconductores II-VI por sublimación isotérmica a distancia cercana.

In this work, the results on the self regulated growth of II-VI semiconductors using the Closed Space Sublimation technique are reported. The main features of the method are: i) the sublimation occurs by exposing the substrate to elemental sources alternately; ii) the whole system is at the same tem...

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Detalles Bibliográficos

Publicado en:	Revista Cubana de Física Vol. 23; no. 1; pp. 3 - 12
Autores principales:	de Melo, O., Larramendi, E. M.
Formato:	Artículo
Publicado:	Universidad de La Habana 2006
Materias:	Semiconductor research Sublimation (Chemistry) Surfaces (Technology) Zinc telluride Cadmium compounds
Acceso en línea:	Ver este registro en EBSCOhost