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Propiedades electrónicas de la hoja de grafeno vs. hoja de nitruro de boro: una investigación por simulación.

We have investigated the electronic properties of graphene and boron nitride finite sheet in the chirality's (7,0) through the Density Functional Theory (DFT) taking into account the exchange-correlation term of B3PW91 and B3LYP and STO-3G, and 3-21G basis. In order to evaluate the structural stabil...

Descripción completa

Publicado en:Revista Cubana de Física Vol. 25; no. 2B; pp. 106 - 111
Autores principales: Anota, E. Chigo, Rodríguez, A. Juárez
Formato: Artículo
Publicado: Universidad de La Habana 2008
Materias:
Graphene
Boron nitride
Chirality
Statistical correlation
Semiconductor research
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Sumario:We have investigated the electronic properties of graphene and boron nitride finite sheet in the chirality's (7,0) through the Density Functional Theory (DFT) taking into account the exchange-correlation term of B3PW91 and B3LYP and STO-3G, and 3-21G basis. In order to evaluate the structural stability we considered the criterion of vibration frequencies. Moreover in this work the dipolar moment and reactivity parameters as chemical potential, hardness chemical, electrofily index and Density of States (DOS) have been performed. From an analysis rigorous of these results indicate that the sheets have semiconductor like behaviour (gap values of 0.8 and 0.6 eV) and considerable high reactivity and polarity.
Se investigan las propiedades electrónicas de la hoja de grafeno y nitruro de boro con quiralidad (7,0) usando la teoría DFT y para el término de intercambio-correlación las funcionales desarrolladas por Becke y col., B3LYP, y B3PW91 y las bases atómicas STO-3G y 3-21G. Para la estabilidad estructural se sigue el criterio de obtener frecuencias de vibración positivas. Además se reportan los parámetros de reactividad química (potencial químico, dureza química e índice electrofílico), la densidad de estados molecular (DOS). Los resultados nos indican que ambas hojas presenta el comportamiento de semiconductor por tener un gap de aproximadamente 0.8 y 0.6 eV respectivamente. Además las hojas presentan considerable reactividad y polaridad.