Propiedades electrónicas de la hoja de grafeno vs. hoja de nitruro de boro: una investigación por simulación.
We have investigated the electronic properties of graphene and boron nitride finite sheet in the chirality's (7,0) through the Density Functional Theory (DFT) taking into account the exchange-correlation term of B3PW91 and B3LYP and STO-3G, and 3-21G basis. In order to evaluate the structural stabil...
| Publicado en: | Revista Cubana de Física Vol. 25; no. 2B; pp. 106 - 111 |
|---|---|
| Autores principales: | , |
| Formato: | Artículo |
| Publicado: |
Universidad de La Habana
2008
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | Ver este registro en EBSCOhost |
| fields | @attributes: recordID: 1 pdfLink: plink: https://search.ebscohost.com/login.aspx?direct=true&db=lth&AN=43476011&site=ehost-live header: @attributes: shortDbName: lth uiTerm: 43476011 longDbName: MedicLatina uiTag: AN controlInfo: bkinfo: jinfo: jid: 02539268 UEW jtl: Revista Cubana de Física issn: 02539268 maglogo: N pubinfo: dt: 2008 vid: 25 iid: 2B pid: 21208 pub: Universidad de La Habana artinfo: ui: 43476011 ppf: 106 ppct: 5 formats: fmt: @attributes: type: P size: 457KB tig: atl: Propiedades electrónicas de la hoja de grafeno vs. hoja de nitruro de boro: una investigación por simulación. aug: au: Anota, E. Chigo Rodríguez, A. Juárez affil: Cuerpo Académico de Ingeniería en Materiales-Facultad de Ingeniería Química, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Ciudad Universitaria 72570, Puebla, Pue, México Colegio de Ingeniería Química,-Facultad de Ingeniería Química, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Ciudad Universitaria 72570, Puebla, Pue, México su: Graphene Boron nitride Chirality Statistical correlation Semiconductor research sug: subj: Graphene Boron nitride Chirality Statistical correlation Semiconductor research keyword: 31.10+z 31.15.Ar 31.15Ew Grafeno hoja de nitruro de boro teoría DFT. PACS ab: We have investigated the electronic properties of graphene and boron nitride finite sheet in the chirality's (7,0) through the Density Functional Theory (DFT) taking into account the exchange-correlation term of B3PW91 and B3LYP and STO-3G, and 3-21G basis. In order to evaluate the structural stability we considered the criterion of vibration frequencies. Moreover in this work the dipolar moment and reactivity parameters as chemical potential, hardness chemical, electrofily index and Density of States (DOS) have been performed. From an analysis rigorous of these results indicate that the sheets have semiconductor like behaviour (gap values of 0.8 and 0.6 eV) and considerable high reactivity and polarity. Se investigan las propiedades electrónicas de la hoja de grafeno y nitruro de boro con quiralidad (7,0) usando la teoría DFT y para el término de intercambio-correlación las funcionales desarrolladas por Becke y col., B3LYP, y B3PW91 y las bases atómicas STO-3G y 3-21G. Para la estabilidad estructural se sigue el criterio de obtener frecuencias de vibración positivas. Además se reportan los parámetros de reactividad química (potencial químico, dureza química e índice electrofílico), la densidad de estados molecular (DOS). Los resultados nos indican que ambas hojas presenta el comportamiento de semiconductor por tener un gap de aproximadamente 0.8 y 0.6 eV respectivamente. Además las hojas presentan considerable reactividad y polaridad. pubtype: Academic Journal doctype: Article src: R language: Spanish refInfo: copyright: @attributes: flag: Y custom: Copyright of Revista Cubana de Física is the property of Universidad de La Habana and its content may not be copied or emailed to multiple sites without the copyright holder's express written permission. Additionally, content may not be used with any artificial intelligence tools or machine learning technologies. However, users may print, download, or email articles for individual use. item: Revista Cubana de Física holder: Universidad de La Habana dt: @attributes: year: 2008 holdings: @attributes: islocal: N |
|---|