Dependencia térmica de la corriente umbral en láseres semiconductores a pozo cuántico.

Results on the temperature dependence of the threshold current density for semiconductor lasers based in different materials are presented, emphasizing in GaInNAs devices. In this case the model considers, the radiative, mono-molecular and Auger recombination components. The monomolecular recombinat...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Publicado en:Revista Cubana de Física Vol. 26; no. 1; pp. 83 - 89
Autores principales: Sánchez, M., Rojas, N. Suárez, Martin, J. A., Mon, Elis
Formato: Artículo
Publicado: Universidad de La Habana 2009
Materias:
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fields @attributes:
  recordID: 1
pdfLink:
plink: https://search.ebscohost.com/login.aspx?direct=true&db=lth&AN=43482773&site=ehost-live
header:
  @attributes:
    shortDbName: lth
    uiTerm: 43482773
    longDbName: MedicLatina
    uiTag: AN
  controlInfo:
    bkinfo:
    jinfo:
      jid:
        02539268
        UEW
      jtl: Revista Cubana de Física
      issn: 02539268
      maglogo: N
    pubinfo:
      dt: 2009
      vid: 26
      iid: 1
      pid: 21208
      pub: Universidad de La Habana
    artinfo:
      ui: 43482773
      ppf: 83
      ppct: 6
      formats:
        fmt:
          @attributes:
            type: P
            size: 271KB
      tig:
        atl: Dependencia térmica de la corriente umbral en láseres semiconductores a pozo cuántico.
      aug:
        au:
          Sánchez, M.
          Rojas, N. Suárez
          Martin, J. A.
          Mon, Elis
        affil:
          Facultad de Física, Universidad de La Habana, Cuba
          Facultad de Informática, Universidad de Ciego de Ávila "Máximo Gómez Báez", Carretera a Morón, Km 9, Ciego de Ávila, Cuba
      su:
        Semiconductor lasers
        Recombination in semiconductors
        Auger effect
        Simulation methods & models
        Mathematical models
      sug:
        subj:
          Semiconductor lasers
          Recombination in semiconductors
          Auger effect
          Simulation methods & models
          Mathematical models
      keyword:
        42.55.Px
        85.35.Be
        85.60.q
        Dispositivos a pozo cuántico
        Dispositivos optoelectrónicos
        Láseres semiconductores
      ab:
        Results on the temperature dependence of the threshold current density for semiconductor lasers based in different materials are presented, emphasizing in GaInNAs devices. In this case the model considers, the radiative, mono-molecular and Auger recombination components. The monomolecular recombination coefficient (A) was taken independent of temperature; while the radiative coefficient (B) was taken as B≈T and for Auger coefficient (C) an exponential dependence was considered. These coefficients were used as adjustable parameters in the simulation. Results shown that while the monomolecular recombination is the main mechanism responsible for the increment of the threshold current with temperature the Auger component should be considered in all cases although with different weight related with the structure.
        Se presenta un estudio de la dependencia térmica de la corriente umbral en láseres de diferentes materiales haciendo énfasis los láseres en base a GaInNAs. En este caso se utilizó un modelo que incluye, la recombinación radiativa, la monomolecular y la Auger. El coeficiente de recombinación monomolecular (A ) se tomó independiente de la temperatura, mientras que para el coeficiente radiativo (B ) se utilizó una dependencia tipo B α T y para el coeficiente Auger (C) una variación exponencial. Estos coeficientes se utilizaron como parámetros de ajuste en la simulación. Los resultados muestran que la recombinación monomolecular es el mecanismo dominante en estos dispositivos y que la recombinación Auger debe tenerse en cuenta en todos los casos aunque con diferente peso según la estructura.
      pubtype: Academic Journal
      doctype: Article
      src: R
    language: Spanish
    refInfo:
    copyright:
      @attributes:
        flag: Y
      custom: Copyright of Revista Cubana de Física is the property of Universidad de La Habana and its content may not be copied or emailed to multiple sites without the copyright holder's express written permission. Additionally, content may not be used with any artificial intelligence tools or machine learning technologies. However, users may print, download, or email articles for individual use.
      item: Revista Cubana de Física
      holder: Universidad de La Habana
      dt:
        @attributes:
          year: 2009
    holdings:
      @attributes:
        islocal: N