Dependencia térmica de la corriente umbral en láseres semiconductores a pozo cuántico.

Results on the temperature dependence of the threshold current density for semiconductor lasers based in different materials are presented, emphasizing in GaInNAs devices. In this case the model considers, the radiative, mono-molecular and Auger recombination components. The monomolecular recombinat...

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Detalles Bibliográficos

Publicado en:	Revista Cubana de Física Vol. 26; no. 1; pp. 83 - 89
Autores principales:	Sánchez, M., Rojas, N. Suárez, Martin, J. A., Mon, Elis
Formato:	Artículo
Publicado:	Universidad de La Habana 2009
Materias:	Semiconductor lasers Recombination in semiconductors Auger effect Simulation methods & models Mathematical models
Acceso en línea:	Ver este registro en EBSCOhost